Elementy elektroniczne - strona 2

AGH, WIET ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM Rok 1 EiT Nr ćwiczenia: 6 Temat: Przełączanie tranzystorów bipolarnych Data wykonania: 22-04-2013 Imię i nazwisko: Tomasz Durlatka, Szymon Turek Ocena: 1.Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia są obserwacje przełączania tranzystorów bipolarnych st...

0. O jakich właściwościach półprzewodnika decyduje szerokość jego przerwy energetycznej? Szerokość pasma wzbronionego (przerwy energetycznej ) jest miarą energii, którą trzeba dostarczyć, aby uwolnić elektron z wiązania kowalencyjnego (w p...

11. Jak wygląda rozkład nośników mniejszościowych po obu stronach złącza przy Ud 0? 12. Jak wyprowadzamy zależność napięciowo-prądową Shockleya dla złącza p-n? Równanie Shockleya to gęstość prądu dyfuzyjnego przechodzącego przez złącze. Równania na nadmiarowe nośniki mniejszościowe: , Każde z po...

21. Dlaczego pojemność diody nie jest liniową funkcją napięcia? i nie jest funkcją liniową napięcia. 22. W jakim zakresie napięć i częstotliwości użyteczna jest pojemność złączowa diody? 23. Naszkicować układ rezonansowy strojony diodą pojemnościową. warikap pojedynczy warikap podwójny 24. W ja...

31. Jak zmienia się rezystancja diody Zenera wraz ze wzrostem napięcia rewersyjnego na diodzie? Diody stabilizacyjne (Zenera) pracują w zakresie rewersyjnym charakterystyki napięciowo - prądowej w warunkach odwracalnego przebicia elektrycznego złącza p-n o mechanizmie Zenera lub/i lawinowym. W taki...

41. Wskazać bezużyteczne prądy BJT jako wzmacniacza przy pracy aktywnej normalnej. Tranzystor bipolarny pracuje efektywnie jako wzmacniacz w stanie aktywnym normalnym, w którym złącze emiterowe spolaryzowane jest przewodząco , a kolek...

51. Przy jakim napięciu występuje zwykle przebicie skrośne tranzystora bipolarnego? Szerokość warstwy zaporowej złącza: 52. Rozwinąć prąd kolektora BJT jako funkcję dwóch napięć: wejściowego i wyjściowego w szereg Taylora. Powyższą f...

61. Przedstawić rolę bazy z przewodnością typu n w określaniu parametrów napięciowych tyrystora. Tyrystor jest 3-elektrodowym przyrządem półprzewodnikowym zbudowanym z czterech na przemian ułożonych warstw typu n i p, które tworzą trzy złącza p-n...

71. Gdzie znajduje się punkt zerowej zależności prądu drenu tranzystora polowego od temepratury? W miejscu przecięcia się rodziny charakterystyk przejściowych znajduje się punkt o zerowym współczynniku temperaturowym prądu drenu. W tranzystorach polowych największe znaczenie mają zmiany temperatur...

81. Napisać równania macierzowe dla prądów małosygnałowych w zakresie w. cz. dla JFET-a. Powszechnie przyjmuje się, że podstawową konfiguracją jest układ wspólnego źródła WS, który można opisać równaniami: W praktyce częściej zamiast parametrów admitancyjnych stosuje się parametry uniwersalne: - ...